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380V稳压电源怎么选择质量好的

日期:2019-01-31 / 作者:一元逆变器 / 人气:

 
 
在电压-电荷关系图上,电容呈斜直线,电容中的储能为该直线下包含的区域。虽然功率MOSFET的输出电容却是非线性的,并且依据漏源电压的变化而变化, 但是,输出电容中的储能仍为非线性电容线下所包含的区域。因此,如果我们能够找出一条直线,由该直线给出的区域与图1中显示的变化的输出电容曲线所包含的 区域相同,则直线的斜率恰好是产生相同的储能的等效输出电容。
 
对于某些老式平面技术MOSFET,设计人员可能会用曲线拟合来找出等效输出电容,其基于通常指定的25V漏源电压下的数据表中的输出电容值。
 
 

 
图2显示了输出电容的测量值以及由公式(3)得出的拟合曲线。相对于图2(a)的老式技术MOSFET,它的效果不错。然而,对于使用新技术如超级结技 术,输出电容有更多非线性特性的MOSFET,则简单的指数曲线拟合有时不够好。图2(b)显示了最新技术MOSFET的输出电容测量值以及用公式(3) 得出的拟合曲线。对于等效输出电容值,两者之间在高电压区的间隙会导致巨大的差异,因为在积分公式中电压对于电容是相乘的。图2(b)中的估计将产生大得 多的等效电容,这会误导转换器的初始设计。
 
 
如果输出电容值依据漏源电压而变化,输出电容中的储能可以使用公式(4)来求得。虽然电容曲线显示在数据表中,但从图表中精确地读出电容值并不容易。因 此,依据漏源电压,输出电容中的储能由最新功率MOSFET数据表中的图表给出。通过图3显示的曲线,使用公式(5),可以得到在期望的直流(DC)总线 电压下的等效输出电容。